ЕЖЕДНЕВНО 10:00–19:00

Оперативная память SO-DIMM Samsung M471A1G44CB0-CWE

Краткие характеристики

  • МодельM471A1G44CB0-CWE
  • Форм-фактор модуляSO-DIMM
  • Тип памятиDDR4
  • Регистровая (буферизованная)Нет
  • Объём модуля, ГБ8
  • Модулей в комплекте1
Все характеристики
10 300 ₽
Удалённый склад · с 8 октября

Наличие и срок подтвердим при обработке заказа

Основные характеристики

Основное

Модель
M471A1G44CB0-CWE
Форм-фактор модуля
SO-DIMM
Тип памяти
DDR4
Регистровая (буферизованная)
Нет

Объём и комплект

Объём модуля, ГБ
8
Модулей в комплекте
1
Объём комплекта, ГБ
8

Скорость

Частота, МГц
3200
Латентность CL
21

Дополнительно

Бренд
Samsung
Вес с упаковкой, кг
0.02
Оперативная память SO-DIMM Samsung M471A1G44CB0-CWE
10 300 ₽
Оперативная память DIMM

AMD Radeon R5516G5600S1S-U

Модель
R5516G5600S1S-U
Форм-фактор модуля
DIMM
Тип памяти
DDR5
Регистровая (буферизованная)
Нет
Объём модуля, ГБ
16
Латентность CL
40
28 800 ₽
Оперативная память RDIMM

Hynix HMA84GR7DJR4N-XN

Модель
HMA84GR7DJR4N-XN
Форм-фактор модуля
RDIMM
Тип памяти
DDR4
Регистровая (буферизованная)
Да
Объём модуля, ГБ
32
Модулей в комплекте
1
56 700 ₽
Оперативная память

ТМИ ЦРМП.467526.011-01

Модель
ЦРМП.467526.011-01
Тип памяти
DDR5
Объём модуля, ГБ
16
Модулей в комплекте
1
Объём комплекта, ГБ
16
Частота, МГц
4800
67 200 ₽
Оперативная память DIMM

Patriot Memory VEB532G7038KW

Модель
VEB532G7038KW
Форм-фактор модуля
DIMM
Тип памяти
DDR5
Регистровая (буферизованная)
Нет
Объём модуля, ГБ
32
Частота, МГц
7000
113 800 ₽
Связаться с МИТИНО367

Напишите нам

Укажите телефон или email, чтобы мы могли ответить.